Görsel mevcut değil
PDTA123TMB,315
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NEXPERIA PDTA123TMB - SMALL SIGN
PDTA123TMB,315 Hakkında
PDTA123TMB,315, Nexperia tarafından üretilen PNP pre-biased bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek entegrasyon ve kompakt tasarım gerektiren uygulamalarda kullanılır. Surface mount SC-101 (SOT-883) paketinde sunulan bu transistör, 100mA maksimum collector akımı, 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 250mW maksimum güç dağıtım kapasitesine sahiptir. 180MHz transition frequency ile hızlı switching uygulamalarında tercih edilir. Dahili 2.2kΩ base resistor ile donatılmış olması, ön beslemeli tasarım sayesinde ekstra bileşen gereksinimini azaltır. Lojik seviyeleri sürme, sinyal anahtarlama ve düşük güçlü amplifikasyon devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Part Status
Active
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 20mA, 5V
Frequency - Transition
180 MHz
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SC-101, SOT-883
Power - Max
250 mW
Resistor - Base (R1)
2.2 kOhms
Supplier Device Package
DFN1006B-3
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V