Görsel mevcut değil
PBSS9110AS,126
- Üretici
- NXP
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 100V 1A TO92
PBSS9110AS,126 Hakkında
PBSS9110AS,126, NXP Semiconductors tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-92-3 paketinde sunulmaktadır. Maximum collector akımı 1A, collector-emitter breakdown voltajı 100V olan bu transistör, düşük sinyal amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. DC current gain (hFE) minimum 150'dir (500mA, 5V koşullarında). Transition frequency 100MHz ile hızlı anahtarlama işlemlerine elverişlidir. Maximum güç tüketimi 830mW, saturation voltajı 320mV (100mA, 1A koşullarında) ve maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir. Through-hole montajıyla PCB'lere doğrudan entegre edilebilir. Gürültü azaltma, ses sistemleri, endüstriyel kontrol ve genel amaçlı amplifikasyon devrelerinde yaygın olarak uygulanmaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Obsolete
Power - Max
830 mW
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
320mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V