Görsel mevcut değil
PBSS8110S,126
- Üretici
- NXP
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 100V 1A TO92
PBSS8110S,126 Hakkında
PBSS8110S,126, NXP Semiconductors tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-92-3 paketinde sunulan bu komponent, 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 150°C işletme sıcaklığında çalışabilen ve 830mW maksimum güç tüketimi olan bu transistör, 100MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama operasyonlarını destekler. 200mV saturasyon voltajı ve minimum 150 hFE değeri ile sürücü ve anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilir. Through-hole montaj tipi sayesinde klasik PCB tasarımlarında kolaylıkla kullanılabilir. Lütfen en güncel datasheet'i kontrol edin; ürün hali obsolete kategorisindedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
150 @ 250mA, 10V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Obsolete
Power - Max
830 mW
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V