Görsel mevcut değil
PBSS8110AS,126
- Üretici
- NXP
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 100V 1A TO92
PBSS8110AS,126 Hakkında
PBSS8110AS,126, NXP Semiconductors tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, orta güç uygulamalarında kullanılan tekil transistördür. 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum collector akımı ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yer alır. TO-92 plastik kasa ile Through Hole montaj teknolojisine sahiptir. 830 mW maksimum güç tüketimi, 100 MHz geçiş frekansı ve 150°C işletme sıcaklığı ile bilgisayar çevre birimleri, endüstriyel kontrol, tüketici elektroniği ve sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Düşük saturasyon voltajı ve yüksek akım kazancı sayesinde verimli anahtar tasarımlarına olanak tanır. Ürün statüsü obsolete olup, yeni tasarımlarda güncel alternatiflerinin dikkate alınması önerilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
150 @ 250mA, 10V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Obsolete
Power - Max
830 mW
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V