Görsel mevcut değil
PBSS5630PA,115
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NEXPERIA PBSS5630PA - SMALL SIGN
PBSS5630PA,115 Hakkında
PBSS5630PA, Nexperia tarafından üretilen yüksek akım kapasiteli PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). 6A kolektör akımı, 30V kesinti voltajı ve 2.1W güç yeteneği ile orta ölçekli anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 80MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. 3-HUSON (2x2) Surface Mount paketinde sunulan bu transistör, DC akım kazancı (hFE) minimum 190 değerinde ve 350mV saturasyon voltajı ile güvenilir çalışma sağlar. Motor sürücüleri, güç anahtarlaması, PWM kontrolü ve darbe genişliği modülasyonu uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
190 @ 2A, 2V
Frequency - Transition
80MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
3-PowerUDFN
Part Status
Active
Power - Max
2.1 W
Supplier Device Package
3-HUSON (2x2)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
350mV @ 300mA, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V