Görsel mevcut değil
PBSS5330PA,135
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- PBSS5330PA - 30 V, 3 A PNP LOW V
PBSS5330PA,135 Hakkında
PBSS5330PA, Rochester Electronics tarafından üretilen 30V/3A kapasiteli PNP bipolar junction transistördür (BJT). Surface Mount 3-PowerUDFN (2x2) paketinde sunulan bu transistör, düşük kolektör-emitter doyum voltajı (320mV) ve 165MHz transition frequency'si ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 100@3A minimum DC current gain ve 500mW maksimum güç derecelendirmesi ile orta güç seviyesi devrelerde tercih edilir. Mobil cihazlar, güç yönetim devreleri, motor kontrol ve ses amplifikatörü gibi uygulamalarda kullanılan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Düşük ICBO (100nA) değeri ile sızıntı akımı minimize edilmiştir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 3A, 2V
Frequency - Transition
165MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
3-PowerUDFN
Part Status
Active
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
3-HUSON (2x2)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
320mV @ 300mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V