Görsel mevcut değil
PBSS5330PA,115
- Üretici
- Nexperia
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 30V 3A 3HUSON
PBSS5330PA,115 Hakkında
PBSS5330PA,115, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). 30V breakdown voltajı ve 3A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 165MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Surface mount 3-PowerUDFN (2x2mm) paketinde sunulan bu transistör, 175 minimum DC current gain (hFE) değerine sahiptir. 320mV saturation voltajı ile düşük enerji kaybı sağlar. Güç tüketimi maksimum 2.1W olup, 150°C çalışma sıcaklığına kadar dayanıklıdır. Anahtarlama devreleri, amplifikasyon uygulamaları ve genel amaçlı transistör uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
175 @ 1A, 2V
Frequency - Transition
165MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
3-PowerUDFN
Part Status
Active
Power - Max
2.1 W
Supplier Device Package
3-HUSON (2x2)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
320mV @ 300mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V