Görsel mevcut değil
PBSS5230QAZ
- Üretici
- Nexperia
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 30V 2A DFN1010D-3
PBSS5230QAZ Hakkında
PBSS5230QAZ, Nexperia tarafından üretilen yüksek hızlı PNP BJT transistördür. 30V kolektör-emitter gerilimi ve 2A maksimum kollektör akımı ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerini yerine getirir. 170MHz geçiş frekansı ile RF ve hızlı sinyal işleme devrelerinde kullanılabilir. Minimum 60 DC akım kazancı (2A, 2V koşullarında) sağlar. DFN1010D-3 yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, kompakt tasarımlar ve yüksek yoğunluklu PCB uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 325mW güç tüketimi ile batarya destekli ve taşınabilir elektronik cihazlarda uygulanır. 150°C çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 2A, 2V
Frequency - Transition
170MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
3-XDFN Exposed Pad
Part Status
Obsolete
Power - Max
325 mW
Supplier Device Package
DFN1010D-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
210mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V