Görsel mevcut değil
PBSS5230QAZ
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NEXPERIA PBSS5230QA - 30 V, 2 A
PBSS5230QAZ Hakkında
PBSS5230QAZ, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek hızlı PNP bipolar junction transistördür. 30V kolektör-emitter gerilimi ve 2A maksimum kolektör akımı ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 170MHz transition frequency ve 325mW maksimum güç derecelendirmesi ile düşük sinyalli RF ve switching uygulamalarına uygundur. 3-XDFN Exposed Pad surface mount paketlemesi kompakt tasarımlar için avantajlı olup, 150°C çalışma sıcaklığında işletim kalitesini korur. Típik Vce saturation 210mV@1A ve 60 minimum DC current gain özellikleri ile hassas anahtarlama ve amplifikasyon devreleri için tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 2A, 2V
Frequency - Transition
170MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
3-XDFN Exposed Pad
Part Status
Active
Power - Max
325 mW
Supplier Device Package
DFN1010D-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
210mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V