Görsel mevcut değil
PBSS5160QAZ
- Üretici
- Nexperia
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 60V 1A DFN1010D-3
PBSS5160QAZ Hakkında
PBSS5160QAZ, Nexperia tarafından üretilen bir PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). 60V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 150MHz transition frequency sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 325mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile sınırlı enerji tüketimi gerektiren devrelerde uygun bir seçimdir. 3-XDFN Exposed Pad paketinde sunulan bu transistör, küçük alan gerektiren yüzey montajlı uygulamalarda tercih edilir. 460mV maksimum doyum voltajı ve 85 minimum DC current gain özellikleri, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde güvenilir performans sağlar. Tüketici elektroniği, taşınabilir cihazlar ve düşük güçlü anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
85 @ 1A, 2V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
3-XDFN Exposed Pad
Part Status
Active
Power - Max
325 mW
Supplier Device Package
DFN1010D-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
460mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V