Görsel mevcut değil
PBSS5140V,315
PBSS5140V,315 Hakkında
PBSS5140V,315, NXP Semiconductors tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-666 yüksek yoğunluk surface mount paketi ile sunulan bu komponent, 40V maksimum collector-emitter gerilimi ve 1A maksimum collector akımı ile çalışır. 150MHz transition frequency ve 300 minimum DC current gain (hFE) değerleri, orta hızlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarına uygunluğunu gösterir. 500mW maksimum güç dissipasyonu kapasitesi ile sınırlı güç gerektiren devreler için tasarlanmıştır. 310mV saturation voltajı ile düşük güç kaybı sağlar. Küçük sinyal amplifikasyon, anahtarlama, lojik seviye uygulamaları ve düşük güçlü kontrol devrelerinde kullanılır. 150°C maksimum junction sıcaklığında işletme yapabilir. Parça obsolete durumdadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SOT-563, SOT-666
Part Status
Obsolete
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
SOT-666
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
310mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V