Görsel mevcut değil
PBSS5140V,115
PBSS5140V,115 Hakkında
PBSS5140V,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup Surface Mount SOT-666 paketinde sunulmaktadır. Maximum 1A collector akımı ve 40V collector-emitter gerilimi ile çalışabilen bu bileşen, 150MHz transition frequency özelliğine sahiptir. DC current gain (hFE) minimum 300 değerinde tasarlanmıştır. 500mW güç kapasitesi ile düşük sinyal amplifikasyon, switching uygulamaları ve genel amaçlı transistor işlevlerinde kullanılmaktadır. 150°C işletme sıcaklığına kadar çalışabilmesi, endüstriyel ve ticari elektronik uygulamalarında tercih edilmesini sağlamaktadır. Düşük collector cutoff akımı (100nA) ve 310mV saturation voltajı ile verimli anahtarlama performansı sunar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SOT-563, SOT-666
Part Status
Obsolete
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
SOT-666
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
310mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V