Görsel mevcut değil
PBSS4160QAZ
- Üretici
- Nexperia
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 60V 1A 3DFN
PBSS4160QAZ Hakkında
PBSS4160QAZ, Nexperia tarafından üretilen yüksek hızlı NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, 3-pin DFN1010D-3 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum 1A kolektör akımı, 60V emitter-kolektör kırılma gerilimi ve 180MHz transition frequency özelliğine sahiptir. Saturasyon voltajı düşük (245mV @ 1A) ve 85 minimum DC akım kazancı (1A, 2V şartlarında) ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1W maksimum güç tüketimi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile kompakt tasarımlı anahtarlama devreleri, sinyal amplifikasyonu, darbe genişliği modülasyonu (PWM) kontrolü ve düşük güçlü RF uygulamalarında tercih edilmektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
85 @ 1A, 2V
Frequency - Transition
180MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
3-XDFN Exposed Pad
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
DFN1010D-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
245mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V