Görsel mevcut değil
PBSS4130QAZ
- Üretici
- Nexperia
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 30V 1A DFN1010D-3
PBSS4130QAZ Hakkında
PBSS4130QAZ, Nexperia tarafından üretilen yüksek hızlı NPN bipolar junction transistördür. 30V collector-emitter dağılım gerilimi ve 1A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. 190MHz transition frequency özelliği sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 325mW maksimum güç dağılımı ile işaret amplifikasyonu, anahtarlama ve RF uygulamalarında tercih edilir. 180 (minimum) DC akım kazancı ve 245mV saturation gerilimi ile verimli anahtarlama davranışı gösterir. Kompakt 3-XDFN exposed pad paket tasarımı yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun olup, 150°C junction sıcaklığına kadar çalışabilir. Mobil cihazlar, ses amplifikasyonu, anahtarlama kaynakları ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın kullanım alanları vardır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition
190MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
3-XDFN Exposed Pad
Part Status
Active
Power - Max
325 mW
Supplier Device Package
DFN1010D-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
245mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V