2.000₺ ve üzeri siparişlerinizde kargo ücretsizdir.
NCV57200DR2G

Görseller temsilidir, tam özellikler için datasheet'e bakınız.

onsemi NCV57200DR2G 8-SOIC IGBT Gate Driver Entegre Devre

NCV57200DR2G

Üretici
onsemi
Kılıf / Paket

onsemi NCV57200DR2G 8-SOIC IGBT Gate Driver Entegre Devre Hakkında

NCV57200DR2G, IGBT için izole kompakt gate sürücü entegresidir ve half-bridge sürüşe uygundur. 800 V’a kadar high-side (bootstrap) gerilimi destekler, tepe çıkış akımı kaynak/sink 1.9 A / 2.3 A seviyesindedir. 20 V besleme ile çalışır ve -40°C ile 125°C aralığında kullanılabilir.

NCV57200DR2G ISOLATED COMPACT IGBT GATE DRIVE


Ürün KoduNCV57200DR2G
Channel TypeSynchronous
Current - Peak Output (Source, Sink)1.9A, 2.3A
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeIGBT
High Side Voltage - Max (Bootstrap)800 V
Input TypeNon-Inverting
Logic Voltage - VIL, VIH0.9V, 2.4V
Mounting TypeSurface Mount
Number of Drivers1
Operating Temperature-40°C ~ 125°C (TA)
Part StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)13ns, 8ns
Supplier Device Package8-SOIC
Voltage - Supply20V

NCV57200DR2G Datasheet dosyasına ulaşmak için tıklayınız.