Görsel mevcut değil
NTE81
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 30V 500MA TO99
NTE81 Hakkında
NTE81, NTE Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olarak tasarlanmıştır. TO-99 metal kap paketinde sunulan bu transistör, maksimum 500 mA kolektör akımı ve 30V çalışma gerilimi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 250 MHz transition frequency ile analog ve RF devre tasarımlarında sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve osilatör devreleri gibi uygulamalara uygun özelliklere sahiptir. -65°C ile +200°C arasında geniş sıcaklık aralığında çalışabilir ve 625 mW maksimum güç yayabilen bu bileşen, endüstriyel kontrol sistemleri, ses amplifikatörleri ve genel amaçlı elektronik tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition
250MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-99-6 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-99
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 30mA, 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V