Görsel mevcut değil
NTE342
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- T-NPN RF PO 7W TYP TO-220 TYPE
NTE342 Hakkında
NTE342, NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup TO-220-3 paket tipinde sunulmaktadır. RF (radyofrekans) uygulamaları için tasarlanmış bu bileşen, maksimum 2A kolektör akımı ve 1.5W güç yeteneğine sahiptir. 150°C işletme sıcaklığı ve 17V kolektör-emitör çökertme gerilimi ile orta güçlü RF amplifikatörü, anahtarlama ve frekans çoğaltıcı devrelerde kullanılır. DC akım kazancı 100mA, 10V şartlarında 10 (minimum) olarak belirlenmiştir. Through Hole montaj tipi sayesinde konvansiyonel PCB tasarımlarına uyumludur. İletişim, endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
500µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 100mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
1.5 W
Supplier Device Package
TO-220
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
17 V