Görsel mevcut değil
NTE306
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 50V 1.5A TO202
NTE306 Hakkında
NTE306, NTE Electronics tarafından üretilen NPN tipinde bir bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-202 long tab paketinde sunulmaktadır. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 1.5A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarına uygundur. 950mW maksimum güç dağıtım kapasitesi ve 98 minimum DC current gain (hFE) değeri ile sağlanan bu transistör, genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon devreleri, kontrol sistemleri ve sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -50°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olan NTE306, endüstriyel ve tüketici elektroniği ürünlerinde tercih edilen bir komponenttir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1.5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
98 @ 100mA, 2V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-50°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-202 Long Tab
Part Status
Active
Power - Max
950 mW
Supplier Device Package
TO-202
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V