Görsel mevcut değil
NTE293
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- T-NPN SI AF PO PD .75W TO-92MOD
NTE293 Hakkında
NTE293, NTE Electronics tarafından üretilen silisyum NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu transistör, genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Maksimum 1 A kollektör akımı, 50 V kollektör-emitter kırılma gerilimi ve 200 MHz transition frekansı ile orta hızlı elektronik devrelerde çalışmaya uyguntur. 120 minimum DC akım kazancı (hFE), düşük saturasyon gerilimi (400mV) ve 1W güç dağıtım kapasitesi sayesinde genel amaçlı anahtarlama, sinyal amplifikasyonu ve sürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-92L
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V