Görsel mevcut değil
NTE287H
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- T-NPN SI HI VLTG
NTE287H Hakkında
NTE287H, NTE Electronics tarafından üretilen NPN silisyum bipolar transistördür. TO-92 paketinde sunulan bu transistör, yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmıştır. 350V kolektör-emitter kırılma voltajı ile güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve yüksek voltaj amplifikatör uygulamalarında kullanılabilir. 500mA maksimum kolektör akımı, 625mW maksimum güç dağıtımı ve 200MHz transition frekansı ile orta hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 30 @ 30mA, 10V şartlarında 30 minimum akım kazancı sağlar. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status
Active
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-92
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
350 V