Görsel mevcut değil
NTE2699
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- T-NPN SIL 100V 15A TO220F
NTE2699 Hakkında
NTE2699, NTE Electronics tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistör (BJT) olup TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. 15A maksimum collector akımı, 100V breakdown voltajı ve 150°C maksimum operating temperature ile tasarlanmıştır. 2W maksimum güç disipasyonu kapasitesine sahip olan bu transistör, Vce doyum voltajı 500mV @ 12A seviyesinde kalmaktadır. Minimum 150 DC current gain (hFE) ile uygulanabilir olan NTE2699, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç anahtarlama uygulamaları ve amplifikasyon devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Through-hole montajı sayesinde geleneksel PCB tasarımlarına kolayca entegre edilebilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
15 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
150 @ 3A, 2V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
TO-220
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 600mA, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V