Görsel mevcut değil
NTE2645
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 175V 1A TO39
NTE2645 Hakkında
NTE2645, NTE Electronics tarafından üretilen TO-39 metal kaplı paketinde bir PNP bipolar junction transistörüdür (BJT). 175V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 100 minimum DC current gain (hFE) değeri ile voltaj kontrolü gerektiren devre tasarımlarında tercih edilir. 1W maksimum dissipation gücü ve 600mV saturation voltajı ile anahtar ve amplifikasyon uygulamalarında çalışır. -65°C ile +200°C arasında geniş işletme sıcaklık aralığına sahiptir. Through-hole montajı sayesinde geleneksel PCB tasarımlarında kolay entegre edilebilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 50mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-39
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
175 V