Görsel mevcut değil
NTE25
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 80V 1A TO237
NTE25 Hakkında
NTE25, NTE Electronics tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-237AA paket tipi ile gelen bu transistör, 80V maksimum kollektör-emitör gerilimi ve 1A maksimum kollektör akımı kapasitesine sahiptir. 850mW güç tüketimi sınırı ile düşük sinyal uygulamalarında, audio amplifikatörlerinde, anahtar devrelerinde ve genel sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. 50MHz transition frequency ile orta hızlı komütasyon işlemleri için uygun özelliklere sahiptir. DC gain minimum 40 @ 250mA, 2V koşullarında sağlanır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Through-hole montaj tipi ile geleneksel baskı devresi tasarımlarında kolayca kullanılabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 250mA, 2V
Frequency - Transition
50MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-237AA
Part Status
Active
Power - Max
850 mW
Supplier Device Package
TO-237
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V