Görsel mevcut değil
NTE176
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- T-PNP GE-AF PO
NTE176 Hakkında
NTE176, germanium tabanlı PNP tipi bipolar jonksiyon transistörüdür (BJT). TO-205AD/TO-39 metal kasa paketinde sunulan bu transistör, maksimum 2A kolektör akımı ve 6W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. 1.2MHz transition frequency ile düşük hızlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 40 minimum hFE (DC akım kazancı) ve 250mV Vce saturation voltajı ile belirtilmiştir. 85°C çalışma sıcaklığında kararlı performans sunar. Ses frekansı (AF) uygulamaları, düşük güçlü amplifikatörler ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 2A, 0V
Frequency - Transition
1.2MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
85°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
6 W
Supplier Device Package
TO-39
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 200mA, 2A