Görsel mevcut değil
NTE16007
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 55V 3A TO8
NTE16007 Hakkında
NTE16007, NTE Electronics tarafından üretilen TO-8 metal kaplı NPN bipolar junction transistördür (BJT). 55V kollektör-emitter gerilimi, 3A maksimum kollektör akımı ve 25W güç disipasyonu kapasitesiyle tasarlanmıştır. -65°C ile +200°C geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 750mV doyum gerilimi ve minimum 35 DC akım kazancı ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında yer alır. Orta güç RF amplifikatörleri, anahtarlama devreler ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılan endüstriyel standart bir transistördür.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
15µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
35 @ 750mA, 4V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C
Package / Case
TO-233AA, TO-8-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
25 W
Supplier Device Package
TO-8
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
750mV @ 40mA, 750mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
55 V