Görsel mevcut değil
NTE159MCP
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 80V 800MA TO92
NTE159MCP Hakkında
NTE159MCP, NTE Electronics tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 800mA kolektor akımı ve 80V breakdown voltajı ile çalışır. 250MHz transition frequency ve 625mW maksimum güç derecelendirmesi ile orta seviye anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarına uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Kolektor akımı 10mA ve 10V Vce'de minimum 50 hFE kazancı sağlar. Vce doyum voltajı 500mA akımda 500mV olup, düşük hızlı dijital devre tasarımı, ses amplifikatörleri, kontrol devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
800 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition
250MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status
Active
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-92
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V