Görsel mevcut değil
NTE159-10
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 80V 800MA TO92 10PK
NTE159-10 Hakkında
NTE159-10, NTE Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-92 standart pakette sunulmaktadır. 80V collector-emitter breakdown voltajı ve 800mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. 625mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve geniş -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığı ile çeşitli ortamlarda güvenilir çalışma sağlar. Vce saturation voltajı 500mV @ 50mA, 500mA ve minimum DC current gain 50 @ 10mA, 10V olarak belirlenmiştir. Through-hole montaj türüne sahip olan bu transistör, konvansiyonel PCB tasarımlarında ses amplifikasyonu, anahtarlama devreleri, düşük frekans sinyal işleme ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
800 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status
Active
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-92
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V