Görsel mevcut değil
NTE129MCP
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 80V 1A TO39
NTE129MCP Hakkında
NTE129MCP, NTE Electronics tarafından üretilen PNP tip bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-39 metal kaplı pakette sunulmaktadır. Maximum 80V collector-emitter gerilimi ve 1A collector akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanıma uygundur. 1.25W maksimum güç tüketim kapasitesi ile ses amplifikatörleri, sinyal işleme devrelerinde ve genel amaçlı PNP anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. DC akım taşıyıcı (hFE) minimum 100 değerinde olup, geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-65°C ~ 200°C) sayesinde endüstriyel ve ticari uygulamalarda güvenilir performans sunmaktadır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 5V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
1.25 W
Supplier Device Package
TO-39
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V