Görsel mevcut değil
NTE129
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 80V 1A TO39
NTE129 Hakkında
NTE129, NTE Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-39 metal kutu pakette sunulan bu transistör, maksimum 80V kolektör-emitter gerilimi ve 1A kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Maksimum 1.25W güç dağıtabilen transistör, analog sinyal amplifikasyonu, anahtarlama devreleri ve düşük frekans uygulamalarında tercih edilir. -65°C ile +200°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ortamlar ve özel uygulamalar için uygun hale getirir. Through-hole montaj tipi ile klasik PCB tasarımlarında kolayca entegre edilebilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 5V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
1.25 W
Supplier Device Package
TO-39
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V