Görsel mevcut değil
NTE128P
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 80V 1A TO237
NTE128P Hakkında
NTE128P, NTE Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-237AA paketinde sunulmaktadır. 80V maksimum Vce(bo) değeri ile 1A kolektör akımına kadar çalışabilen bu bileşen, 50MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. 850mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, kontrol uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde zorlu ortam koşullarında güvenilir performans sağlar.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 350mA, 2V
Frequency - Transition
50MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-237AA
Part Status
Active
Power - Max
850 mW
Supplier Device Package
TO-237
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V