Görsel mevcut değil
NTE128
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 80V 1A TO39
NTE128 Hakkında
NTE128, NTE Electronics tarafından üretilen TO-39 metal kutu paketinde sunulan bir NPN bipolar junction transistördür (BJT). Bu komponent 80V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 400MHz transition frequency ve 100 minimum DC current gain (hFE) özellikleriyle hızlı anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri gerçekleştirebilir. 800mW maksimum güç tüketimi, geniş çalışma sıcaklık aralığı (-65°C ~ 200°C) ve through-hole montaj tipi, bu transistörü genel amaçlı anahtarlama, amplifikasyon ve kontrol devrelerinde uygulamaya uygun hale getirir. Microampere seviyesinde düşük collector cutoff akımı (10nA ICBO) ve 500mV saturation voltajı, verimli çalışma ve net anahtarlama geçişleri sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition
400MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TO-39
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V