Görsel mevcut değil
NTE126A
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS-PNP GERM OSC MXR TO-18
NTE126A Hakkında
NTE126A, NTE Electronics tarafından üretilen PNP tipi germanium BJT transistördür. TO-18 metal kutu paketinde sunulan bu bileşen, 300MHz transition frequency ile orta frekanslı uygulamalarda kullanılmaya uygundur. 150mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ve -65°C ile +100°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş uygulama yelpazesine sahiptir. 11.5V breakdown voltajı ve 40 minimum DC current gain (hFE) değerleriyle amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Eski nesil radyo, ses amplifikatörü ve osillatör devreleri başta olmak üzere RF ve audio uygulamalarında yaygın olarak kullanılmıştır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 100°C (TJ)
Package / Case
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
150 mW
Supplier Device Package
TO-18
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
11.5 V