Görsel mevcut değil
NTE103
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- T-NPN GE-AF PREAMP DR PO
NTE103 Hakkında
NTE103, NPN tipi germanium bipolar junction transistördür (BJT). Ön amplifikatör (preamp) ve düşük seviye sinyal uygulamalarına yönelik tasarlanmıştır. 150 mA maksimum kolektör akımı, 24V VCEO breakdown voltajı ve 150 mW güç dissipasyonu kapasitesi ile çalışır. TO-204AA (TO-3) metal kab paketinde sunulur. -65°C ile 100°C arası çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Düşük gürültü karakteristikleri ve iyi frekans cevabı sayesinde ses frekansı amplifikasyon devrelerinde, sinyal ön işleme aşamalarında ve hassas ölçüm elektroniklerinde uygulanır. 30 minimum hFE kazancı ile çalışır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
150 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 12mA, 150mV
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 100°C (TJ)
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Part Status
Active
Power - Max
150 mW
Supplier Device Package
TO-204AA (TO-3)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 1mA, 24mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
24 V