Görsel mevcut değil
NSVMMBTA05LT1G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NSVMMBTA05 - NPN BIPOLAR TRANSIS
NSVMMBTA05LT1G Hakkında
NSVMMBTA05LT1G, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) bileşenidir. Maksimum 500mA kolektör akımı, 60V collector-emitter breakdown voltajı ve 225mW güç dağılımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 100MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. DC akım kazancı 100mA, 1V koşullarında minimum 100'dür. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, yüksek entegrasyon yoğunluğu gerektiren uygulamalarda tercih edilir. SOT-23-3 (TO-236) paketindeki bu transistör, sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve lojik kontrol devrelerinde yaygın olarak uygulanmaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
225 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V