Görsel mevcut değil
NSVMMBT5551M3T5G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- SOT-723
- Açıklama
- NSVMMBT5551 - HIGH VOLTAGE NPN B
NSVMMBT5551M3T5G Hakkında
NSVMMBT5551M3T5G, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek voltaj NPN bipolar junction transistörüdür. SOT-723 yüzey montajlı paket içinde sunulan bu transistör, 160V collector-emitter breakdown voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Maksimum 60mA collector akımı ve 265mW güç tüketimi kapasitesi ile kontrol ve anahtarlama devreleri, ses amplifikatörleri, RF uygulamaları ve genel amaçlı sinyal işleme devreleri gibi elektronik tasarımlarda yer alır. -55°C ile +150°C geniş çalışma sıcaklığı aralığı sayesinde endüstriyel ve oto uygulamalarında da tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
SOT-723
Part Status
Active
Power - Max
265 mW
Supplier Device Package
SOT-723
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V