Görsel mevcut değil
NSVMMBT3906TT1G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NSVMMBT3906 - PNP BIPOLAR TRANSI
NSVMMBT3906TT1G Hakkında
NSVMMBT3906TT1G, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür. SC-75 (SOT-416) yüzey montajlı pakette sunulan bu komponent, maksimum 200mA kolektör akımı ve 250MHz geçiş frekansı ile çalışabilir. 100@10mA minimum DC akım kazancı ve 40V maksimum kolektör-emitter breakdown voltajı ile karakterizedir. Maksimum 200mW güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans sağlar. Düşük sinyal amplifikasyonu, anahtarlama uygulamaları ve genel amaçlı BJT uygulamalarında kullanılır. Kompakt yüzey montajlı tasarımı nedeniyle modern elektronik devrelerde ve tüketici elektroniği ürünlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition
250MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
SC-75, SOT-416
Part Status
Active
Power - Max
200 mW
Supplier Device Package
SC-75, SOT-416
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V