Görsel mevcut değil
NSVBC857BLT3G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NSVBC857BL - PNP BIPOLAR TRANSIS
NSVBC857BLT3G Hakkında
NSVBC857BL, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek hızlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 100 MHz transition frequency ile hızlı işlem yapabilen bu transistör, maksimum 100 mA collector akımı ve 45 V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarına uygundur. 225 mW güç dissipasyonuna sahip SOT-23-3 (TO-236) paketinde sunulan bileşen, geniş sıcaklık aralığında (-55°C ile 150°C) çalışabilir. Düşük ICBO cutoff akımı (15 nA) ile kaçak akım minimal seviyededir. Ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, genel amaçlı analog ve dijital uygulamalarda tercih edilen bir komponenttir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
225 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V