Görsel mevcut değil
NSVBC850BLT1G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NSVBC850 - NPN BIPOLAR TRANSISTO
NSVBC850BLT1G Hakkında
NSVBC850, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, genel amaçlı anahtarlama ve düşük frekans amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. SO-23 (TO-236-3, SC-59) yüzey montaj paketinde sağlanan bu transistör, 100mA maksimum kolektör akımı, 200 minimum DC akım kazancı ve 45V maksimum Vce(BR)CEO ile karakterize edilmiştir. 100MHz geçiş frekansı sayesinde moderate hız uygulamalarında tercih edilebilir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 225mW maksimum güç derecelendirmesi ile ses amplifikasyonu, LED sürücüleri, sinyal anahtarlaması ve dijital lojik arayüzü uygulamalarında yer alır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
225 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V