Görsel mevcut değil
NSV1C301ET4G-VF01
NSV1C301ET4G-VF01 Hakkında
NSV1C301ET4G-VF01, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 100V collector-emitter aralığında 3A'e kadar akım taşıyabilen bu transistör, 120MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerinde kullanılabilir. Maksimum 2.1W güç dağıtma kapasitesine sahip olan bileşen, TO-252 (DPak) surface mount paketinde sunulmaktadır. -65°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklı olup, motor kontrol devreleri, güç anahtarlama uygulamaları, amplifikasyon devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. 120 minimum DC current gain değeri ile güvenilir emitter kontrol sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition
120MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
2.1 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V