Görsel mevcut değil
NSV12200LT1G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NSV12200 - LOW VCE(SAT) TRANSIST
NSV12200LT1G Hakkında
NSV12200LT1G, Rochester Electronics tarafından üretilen düşük VCE(SAT) karakteristiğine sahip bir PNP tipi BJT transistördür. 2A maksimum kolektör akımı ve 250 minimum DC akım kazancı (hFE) ile çalışır. 180mV maksimum doyum voltajı sayesinde düşük kayıp uygulamalarda tercih edilir. 100MHz transition frekansı ile orta hızlı anahtarlama işlemlerine uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, 12V maksimum Vce duyarlılığı ile güç yönetimi, LED sürücüsü, darbe generatörü ve genel amaçlı anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. SOT-23-3 paketlemesi ile SMD montajına uygun olup, 540mW maksimum güç harcayabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
540 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
180mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12 V