Görsel mevcut değil
NSV12100XV6T1G
NSV12100XV6T1G Hakkında
NSV12100XV6T1G, onsemi tarafından üretilen yüksek entegrasyonlu PNP tipi bipolar bileşik transistördür (BJT). SOT-563 (SOT-666) yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, 1A'e kadar kolektör akımı ve maksimum 12V kolektör-emitör bozulma voltajı ile tasarlanmıştır. 650mW maksimum güç dağılımı kapasitesine ve 100 minimum DC akım kazancına sahiptir. Gerilim regülatörleri, ses amplifikatörleri, anahtarlama devreler ve düşük güçlü sinyal işleme uygulamalarında kullanılmak üzere uygundur. -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığını destekler.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 2V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
SOT-563, SOT-666
Part Status
Active
Power - Max
650 mW
Supplier Device Package
SOT-563
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
440mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12 V
İlgili Ürünler
