Görsel mevcut değil
NSV12100UW3TCG
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- LOW VCE(SAT) TRANSISTOR, PNP, 12
NSV12100UW3TCG Hakkında
NSV12100UW3TCG, Rochester Electronics tarafından üretilen düşük doyum gerilimi (VCE(sat)) özellikli PNP bipolar transistördür. Surface mount 3-WDFN (2x2mm) paketinde sunulan bu komponent, 1A kollektor akımı ve 12V C-E breakdown gerilimi ile çalışır. 200MHz transit frekansı sayesinde orta frekanslı uygulamalarda kullanılabilir. Maksimum 740mW güç tüketimi ve geniş -55°C ~ 150°C sıcaklık aralığı ile güvenilir operasyon sağlar. Düşük VCE(sat) değeri (440mV @ 100mA, 1A) enerji verimliliği gerektiren anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Endüstriyel kontrol, güç yönetimi ve sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
3-WDFN Exposed Pad
Part Status
Active
Power - Max
740 mW
Supplier Device Package
3-WDFN (2x2)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
440mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12 V