Görsel mevcut değil
NSS60200SMTTBG
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NSS60200S - SINGLE 60V 2A LOW VC
NSS60200SMTTBG Hakkında
NSS60200S, Rochester Electronics tarafından üretilen 60V 2A kapasiteli PNP bipolar junction transistördür. Surface mount 6-WDFN (2x2mm) paketinde sunulan bu bileşen, düşük VCE saturation voltajı (450mV) ve 155MHz transition frequency ile karakterizedir. DC current gain değeri 100mA, 2V koşullarında 150'dir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilen transistör, maksimum 1.8W güç tüketimi ile şarj pompaları, LED sürücüleri, anahtarlama devreleri ve düşük sinyal uygulamalarında tercih edilir. ICBO cutoff akımı 100nA olup, 60V breakdown voltage ile yüksek voltaj uygulamalarında güvenli operasyon sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
155MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
6-WDFN Exposed Pad
Part Status
Active
Power - Max
1.8 W
Supplier Device Package
6-WDFN (2x2)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
450mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V