Görsel mevcut değil
NSS35200CF8T1G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 35 V, 7 A, VCE PNP TRANSISTOR
NSS35200CF8T1G Hakkında
NSS35200CF8T1G, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek akım kapasiteli PNP tipinde bipolar jonksiyon transistörüdür. 35V maksimum kolektör-emiter gerilimi ve 7A akım yeteneğine sahip bu transistör, güç amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frekansı ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. 2A kolektör akımında 100 minimum DC akım kazancı (hFE) sağlar. Surface Mount paketlemesi ile modern PCB tasarımlarına entegre edilebilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. 635mW maksimum güç dağıtım kapasitesi ile orta güç seviyesi uygulamalarında tercih edilen bir bileşendir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-SMD, Flat Lead
Part Status
Active
Power - Max
635 mW
Supplier Device Package
ChipFET™
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 20mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
35 V