Görsel mevcut değil
NSS1C200MZ4T3G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- SOT-223
- Açıklama
- LOW VCE(SAT) TRANSISTOR, PNP, 10
- Ürün Ailesi
- NSS1C200M
NSS1C200MZ4T3G Hakkında
NSS1C200MZ4T3G, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek akım PNP bipolar transistörüdür. Düşük VCE(SAT) karakteristiğine sahip olup, 2A kolektör akımı ve 100V collector-emitter breakdown gerilimi ile tasarlanmıştır. 120MHz geçiş frekansı ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 800mW güç derecelendirmesi ve -55°C ile +150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygunluğunu sağlar. SOT-223 (TO-261) SMD paketinde sunulan bu transistör, audio amplifikatörleri, güç yönetimi devreleri ve sürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
120MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
SOT-223 (TO-261)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
220mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V