Görsel mevcut değil
NSS12100M3T5G
NSS12100M3T5G Hakkında
NSS12100M3T5G, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, 12V çalışma voltajında maksimum 1A kolektör akımı sağlar. SOT-723 yüzey montajlı paket ile kompakt PCB tasarımlarına uygun bir çözümdür. 120 minimum DC akım kazancı (hFE) ile sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 625mW maksimum güç tüketimi ve -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığı, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygunluğunu gösterir. 410mV doyum voltajı (saturation voltage) ile düşük güç kaybı sağlar. Mobil cihazlar, ses amplifikatörleri, sürücü devreleri ve genel sinyal anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 500mA, 2V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
SOT-723
Part Status
Active
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
SOT-723
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
410mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12 V