Görsel mevcut değil
NJVNJD2873T4G
NJVNJD2873T4G Hakkında
NJVNJD2873T4G, onsemi tarafından üretilen NPN tipinde bipolar junction transistördür. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 50V maksimum collector-emitter gerilimi ve 2A maksimum collector akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 65MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum güç tüketimi 1.68W ve saturation gerilimi 300mV olarak belirlenmiştir. -65°C ile 175°C junction sıcaklığı aralığında çalışabilir. Genel amaçlı anahtarlama, sinyal amplifikasyonu ve akım kontrol uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
65MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.68 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V