Görsel mevcut değil
NJVMJD50T4G
NJVMJD50T4G Hakkında
NJVMJD50T4G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar transistördür. 400V Vce(br)dss ile yüksek voltaj uygulamalarına uygundur. 1A maksimum collector akımı ve 1.56W güç dağıtım kapasitesi ile orta güç seviyesinde çalışmalar için tasarlanmıştır. TO-252 (DPAK) paket tipi ile yüzey montaj uygulamalarında kullanılır. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 10MHz transition frequency ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. 30 minimum DC current gain değeri ile genel amaçlı sinyal işleme ve güç kontrolü uygulamalarında yer alabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition
10MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 200mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V