Görsel mevcut değil
NJVMJD45H11G
NJVMJD45H11G Hakkında
NJVMJD45H11G, onsemi tarafından üretilen yüksek akım kapasiteli PNP bipolar junction transistördür. 50V kollektör-emitör bozulma gerilimi ve 8A maksimum kollektör akımı ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 90MHz geçiş frekansı ile orta hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Surface mount DPAK (TO-252) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve anahtarlamalı güç kaynakları tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel uygulamalara uygun bir seçenektir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition
90MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 400mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V