Görsel mevcut değil
NJVMJD32CG
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- TRANS PNP 100V 3A DPAK
NJVMJD32CG Hakkında
NJVMJD32CG, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount DPAK (TO-252-3) paketinde sunulmaktadır. 100V maksimum collector-emitter gerilimi ve 3A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 1.56W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve 3MHz transition frekansı ile bu transistör, genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve düşük-orta frekans sinyal işleme devrelerinde tercih edilir. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V